Tatbestand

Die Beklagte ist eingetragene Inhaberin des am 31. März 2005 unter Inanspruchnahme der Prioritäten der japanischen Patente JP 2004110019 vom 02. April 2004 und JP 2004223755 vom 30. Juli 2004 angemeldeten, mit Wirkung auch für die Bundesrepublik Deutschland erteilten europäischen Patents Nr. 1 583 190 (Streitpatent) mit der Bezeichnung Nitride semiconductor laser device. Das in der Verfahrenssprache Englisch veröffentlichte Streitpatent, das beim Deutschen Patent- und Markenamt unter der Nummer DE 60 2005 011 881.0 geführt wird, betrifft eine „Nitrid-Halbleiterlaservorrichtung“. Es umfasst 13 Ansprüche, welche sämtlich angegriffen sind. Der einzige unabhängige Patentanspruch 1 hat folgenden Wortlaut: